重要日期
  • 會(huì)議注冊(cè)截止
    2023年5月15日
  • 論文投稿截止
    2023年3月31日
  • 提前繳費(fèi)優(yōu)惠截止
    2023年4月30日
    • 報(bào)告日程
    L02：二維材料化學(xué)論壇  主席：彭海琳、劉政
    編號(hào) 論文標(biāo)題 報(bào)告人 時(shí)間 操作
    2023年06月18日
    第1時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-6 劉開輝 張華
    L02-I-001 納米材料相工程：二維納米材料 張華 08:30-08:55 關(guān)注
    L02-I-002 Two-dimensional Inorganic Molecular Crystals 翟天佑 08:55-09:20 關(guān)注
    L02-I-003 二維材料無機(jī)液晶：發(fā)現(xiàn)與進(jìn)展 劉碧錄 09:20-09:45 關(guān)注
    L02-I-004 Synthesis of two-dimensional semiconductor heterojunctions, multiheterojunctions, heterojunction arrays and superlattices 段曦東 09:45-10:10 關(guān)注
    第2時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-6 劉碧錄 侯仰龍
    L02-I-005 二維非層狀磁性納米材料的化學(xué)合成及其磁性調(diào)控 侯仰龍 10:25-10:50 關(guān)注
    L02-I-006 疊層二維單晶原子制造 劉開輝 10:50-11:15 關(guān)注
    L02-I-007 二維電子材料及其異質(zhì)結(jié)構(gòu)多功能器件 何軍 11:15-11:40 關(guān)注
    L02-I-008 二維材料的生長(zhǎng)與性質(zhì)調(diào)控 宮勇吉 11:40-12:05 關(guān)注
    第3時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 張錚 吳忠?guī)?
    L02-I-009 C面藍(lán)寶石基板上二維材料的定向外延生長(zhǎng) 李連忠 13:30-13:55 關(guān)注
    L02-I-010 2D semiconductors for future computing 王欣然 13:55-14:20 關(guān)注
    L02-I-011 二維半導(dǎo)體光電調(diào)控與集成 潘安練 14:20-14:45 關(guān)注
    L02-I-012 用于單片集成電路的二維半導(dǎo)體精準(zhǔn)的p、n摻雜 葉堉 14:45-15:10 關(guān)注
    第4時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 王欣然 李連忠
    L02-I-013 二維能源材料與器件 吳忠?guī)?/td> 15:25-15:50 關(guān)注
    L02-I-014 全二維范德華異質(zhì)結(jié)電子學(xué)器件 張錚 15:50-16:15 關(guān)注
    L02-I-015 掃描探針技術(shù)的發(fā)展及在交叉學(xué)科中的應(yīng)用 王業(yè)亮 16:15-16:40 關(guān)注
    L02-I-016 高溫原位光學(xué)成像技術(shù)、低波數(shù)拉曼光譜技術(shù)用于二維材料生長(zhǎng)與表征研究 謝黎明 16:40-17:05 關(guān)注
    L02-I-017 新型二維材料的相結(jié)構(gòu)工程與性質(zhì)研究 周家東 17:05-17:30 關(guān)注
    2023年06月19日
    第5時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 彭海琳 焦麗穎
    L02-I-018 面向未來計(jì)算的“原子樂高” 繆峰 08:30-08:55 關(guān)注
    L02-I-019 Bioinspired vision sensors with 2D semiconductors 柴揚(yáng) 08:55-09:20 關(guān)注
    L02-I-020 二維高空穴遷移率p軌道材料 曾海波 09:20-09:45 關(guān)注
    L02-I-021 Two-dimensional devices and integration towards the silicon lines 周鵬 09:45-10:10 關(guān)注
    第6時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 曾海波 柴揚(yáng)
    L02-I-022 高遷移率二維半導(dǎo)體與高κ自氧化物柵介質(zhì)集成 彭海琳 10:25-10:50 關(guān)注
    L02-I-023 基于界面反應(yīng)的二維PdTe的合成與超導(dǎo)性質(zhì)研究 焦麗穎 10:50-11:15 關(guān)注
    L02-I-024 二維鹵素鈣鈦礦半導(dǎo)體及其異質(zhì)結(jié) 師恩政 11:15-11:40 關(guān)注
    L02-O-001 二維過渡金屬硫族化合物/氧化物異質(zhì)結(jié)及其智能器件應(yīng)用 劉鍇 11:40-11:55 關(guān)注
    第7時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 張艷鋒 袁洪濤
    L02-I-025 二維硼材料中的σ鍵共振理論 丁峰 13:30-13:55 關(guān)注
    L02-I-026 Layered 2D MoSi2N4 family 任文才 13:55-14:20 關(guān)注
    L02-I-027 低維電子材料的精準(zhǔn)制備和結(jié)構(gòu)調(diào)控 郭蕓帆 14:20-14:45 關(guān)注
    L02-O-002 鉍基氧硫族高遷移率二維半導(dǎo)體的可控制備及物相調(diào)控 吳金雄 14:45-15:00 關(guān)注
    第8時(shí)段 口頭報(bào)告（Oral） 二層B9展廳：B9-4 丁峰 任文才
    L02-I-028 過渡金屬硫?qū)倩衔锏木A級(jí)制備和應(yīng)用探索 張艷鋒 15:15-15:40 關(guān)注
    L02-I-029 低維功能材料新物性與界面調(diào)控 袁洪濤 15:40-16:05 關(guān)注
    L02-O-003 各向異性二維材料的控制制備和光電器件 徐華 16:05-16:20 關(guān)注
    L02-O-004 超薄MOFs二維材料 戴昉納 16:20-16:35 關(guān)注
    L02-O-005 鈷基酸性水氧化催化劑的構(gòu)筑及原位調(diào)控 董斌 16:35-16:50 關(guān)注